Il produttore giapponese di elettronica Toshiba ha presentato un nuovo transistor ad effetto di campo a semiconduttore a ossido di silicio (MOSFET) basato sul carburo di silicio (SiC) per applicazioni negli inverter solari e nei sistemi di accumulo delle batterie.
L’azienda ha dichiarato che il nuovo MOSFET può aiutare i produttori di inverter a ridurre le dimensioni e il peso dei loro prodotti.
“Il funzionamento a frequenza più elevata consente di ridurre il peso di altri componenti del sistema, come dissipatori di calore e filtri”, ha dichiarato l’azienda.
Il nuovo prodotto ospita un diodo a barriera Schottky (SBD) da 2.200 V ed è destinato all’uso in inverter a due livelli in sistemi a 1.500 V (CC) di tensione. Secondo il produttore, i dispositivi a due livelli hanno un numero inferiore di moduli di commutazione rispetto agli inverter a tre livell: questo si traduce in sistemi più piccoli e leggeri.
I moduli SiC funzionano con una bassa perdita di conduzione e una bassa tensione di drain-source. Inoltre, presentano perdite di commutazione all’accensione e allo spegnimento inferiori, rispettivamente di 14mJ e 11mJ. Il produttore spiega che hanno una bassa induttanza parassita, una bassa resistenza termica e un termistore incorporato.
Immagine: Toshiba
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